Ковтун А. О.: наукові статтіhttp://ir.stu.cn.ua/123456789/137682024-03-29T09:06:48Z2024-03-29T09:06:48ZТемпературні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристаліШоломій, Ю. Є.Ковтун, А. О.Рогоза, О. В.http://ir.stu.cn.ua/123456789/72782017-07-05T20:04:34Z2013-01-01T00:00:00ZТемпературні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристалі
Шоломій, Ю. Є.; Ковтун, А. О.; Рогоза, О. В.
Досліджені температурні залежності питомої електричної провідності і рухливості носіїв зарядів у холестеричному рідкому кристалі. Визначені величини енергій активацій питомої провідності і рухливості зарядів у різних рідкокристалічних станах. Аналіз температурних залежностей показує, що зміни провідності в областях фазових переходів у межах похибок обумовлені змінами рухливості носіїв заряду. Як під час охолодження до рідкокристалічного стану, так і під час нагрівання із цього стану природа механізму генерації і рекомбінації носіїв однакова.
Шоломій, Ю. Є. Температурні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристалі / Ю. Є. Шоломій, А. О. Ковтун, О. В. Рогоза // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2013. – №1 (63). – C. 184-187.
2013-01-01T00:00:00ZПрирода и свойства дырочных центров в кристаллах kcl высокой чистотыКовтун, А. О.Рогоза, О. В.http://ir.stu.cn.ua/123456789/72012017-07-05T19:47:03Z2012-01-01T00:00:00ZПрирода и свойства дырочных центров в кристаллах kcl высокой чистоты
Ковтун, А. О.; Рогоза, О. В.
У статті приведені експериментальні дані, що підтверджують припущення про дуже малу силу осцилятора VК – і VF –центрів у кристалах KCl високої чистоти, а також пропонується механізм утворення V3–центрів.
Ковтун, А. О. Природа и свойства дырочных центров в кристаллах kcl высокой чистоты / А. О. Ковтун, О. В. Рогоза // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2012. – №3 (59). – C. 145-150.
2012-01-01T00:00:00ZВимірювання фазових і частотних характеристик електричних коливаньКовтун, А. О.Рогоза, О. В.http://ir.stu.cn.ua/123456789/71262017-07-05T19:42:42Z2012-01-01T00:00:00ZВимірювання фазових і частотних характеристик електричних коливань
Ковтун, А. О.; Рогоза, О. В.
Запропоновано новий підхід до визначення фазового зсуву між сигналами, що надходять від одного джерела чи різних джерел і подаються на входи осцилографа.
Ковтун, А. О. Вимірювання фазових і частотних характеристик електричних коливань / А. О. Ковтун, О. В. Рогоза // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2012. – №2 (57). – C. 215-218.
2012-01-01T00:00:00ZДослідження радіаційних дефектів у кристалах KCl чистих та з домішкою іонів Li+ та Na+Горбенко, П. К.Ковтун, А. О.Рогоза, О. В.Шоломій, Ю. Є.http://ir.stu.cn.ua/123456789/74332017-07-05T19:58:12Z2014-01-01T00:00:00ZДослідження радіаційних дефектів у кристалах KCl чистих та з домішкою іонів Li+ та Na+
Горбенко, П. К.; Ковтун, А. О.; Рогоза, О. В.; Шоломій, Ю. Є.
Наведені експериментальні дані про діркові центри кристалів KCl високої чистоти, а також про діркові центри, що пов’язані з домішкою іонів Li+ та Na+. Показано, що вільні галоїдні вакансії дифундують у кристалі вже при низьких температурах.
Горбенко, П. К. Дослідження радіаційних дефектів у кристалах KCl чистих та з домішкою іонів Li+ та Na+ / П. К. Горбенко, А. О. Ковтун, О. В. Рогоза, Ю. Є. Шоломій // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2014. – №2 (73). – C. 29-33.
2014-01-01T00:00:00Z