Рогоза О. В.: наукові статтіhttp://ir.stu.cn.ua/123456789/137732024-03-29T14:11:48Z2024-03-29T14:11:48ZТемпературні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристаліШоломій, Ю. Є.Ковтун, А. О.Рогоза, О. В.http://ir.stu.cn.ua/123456789/72782017-07-05T20:04:34Z2013-01-01T00:00:00ZТемпературні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристалі
Шоломій, Ю. Є.; Ковтун, А. О.; Рогоза, О. В.
Досліджені температурні залежності питомої електричної провідності і рухливості носіїв зарядів у холестеричному рідкому кристалі. Визначені величини енергій активацій питомої провідності і рухливості зарядів у різних рідкокристалічних станах. Аналіз температурних залежностей показує, що зміни провідності в областях фазових переходів у межах похибок обумовлені змінами рухливості носіїв заряду. Як під час охолодження до рідкокристалічного стану, так і під час нагрівання із цього стану природа механізму генерації і рекомбінації носіїв однакова.
Шоломій, Ю. Є. Температурні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристалі / Ю. Є. Шоломій, А. О. Ковтун, О. В. Рогоза // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2013. – №1 (63). – C. 184-187.
2013-01-01T00:00:00ZПрирода и свойства дырочных центров в кристаллах kcl высокой чистотыКовтун, А. О.Рогоза, О. В.http://ir.stu.cn.ua/123456789/72012017-07-05T19:47:03Z2012-01-01T00:00:00ZПрирода и свойства дырочных центров в кристаллах kcl высокой чистоты
Ковтун, А. О.; Рогоза, О. В.
У статті приведені експериментальні дані, що підтверджують припущення про дуже малу силу осцилятора VК – і VF –центрів у кристалах KCl високої чистоти, а також пропонується механізм утворення V3–центрів.
Ковтун, А. О. Природа и свойства дырочных центров в кристаллах kcl высокой чистоты / А. О. Ковтун, О. В. Рогоза // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2012. – №3 (59). – C. 145-150.
2012-01-01T00:00:00ZВимірювання фазових і частотних характеристик електричних коливаньКовтун, А. О.Рогоза, О. В.http://ir.stu.cn.ua/123456789/71262017-07-05T19:42:42Z2012-01-01T00:00:00ZВимірювання фазових і частотних характеристик електричних коливань
Ковтун, А. О.; Рогоза, О. В.
Запропоновано новий підхід до визначення фазового зсуву між сигналами, що надходять від одного джерела чи різних джерел і подаються на входи осцилографа.
Ковтун, А. О. Вимірювання фазових і частотних характеристик електричних коливань / А. О. Ковтун, О. В. Рогоза // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2012. – №2 (57). – C. 215-218.
2012-01-01T00:00:00ZЕлектронно-діркова рекомбінація у кристалах хлористого калію під час збудження світлом з f-смуги поглинанняГорбенко, П. К.Ковтун, А. О.Рогоза, О. В.Шоломій, Ю. Є.http://ir.stu.cn.ua/123456789/99502017-07-05T20:54:58Z2015-01-01T00:00:00ZЕлектронно-діркова рекомбінація у кристалах хлористого калію під час збудження світлом з f-смуги поглинання
Горбенко, П. К.; Ковтун, А. О.; Рогоза, О. В.; Шоломій, Ю. Є.
Проведено експериментальні та теоретичні дослідження електронно-діркової рекомбінації в чистих та домішкових кристалах KCl, опромінених рентгенівськими променями. Показано, що чисті та з домішкою Li+ рентгенізовані кристали при 77 К обезфарблюються світлом із F-смуги на ~10 %, а з домішкою Na+ – на 60 %. Спостерігається пропорційне зменшення концентрації електронних та діркових центрів. На основі порівняння експериментальних та розрахункових даних зроблено висновок, що у процесі рентгенізації у кристалах утворюються електронно-діркові пари, які локалізовані на близько розташованих між собою електронних та діркових центрах.
Горбенко, П. К. Електронно-діркова рекомбінація у кристалах хлористого калію під час збудження світлом з f-смуги поглинання / П. К. Горбенко, А. О. Ковтун, О. В. Рогоза, Ю. Є. Шоломій // Технічні науки та технології. – 2015. – № 2 (2). – C. 106-111.
2015-01-01T00:00:00Z