Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ir.stu.cn.ua/123456789/27402
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorРассамакін, В. Я.-
dc.date.accessioned2023-04-25T10:17:15Z-
dc.date.available2023-04-25T10:17:15Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.urihttp://ir.stu.cn.ua/123456789/27402-
dc.descriptionРассамакін, В. Я. Застосування PECVD гідрогенізованих шарів SіNH у напівпровідникових приладах / В. Я. Рассамакін // Комплексне забезпечення якості технологічних процесів та систем (КЗЯТПС – 2022) : тези доповідей XІІ Міжнародної науково-практичної конференції (м. Чернігів, 26–27 травня 2022 р.) : у 2 т. Т. 2. – Чернігів : НУ «Чернігівська політехніка», 2022. – С. 86.uk_UA
dc.description.abstractІнтерес до дослідження плазмохімічних шарів нітриду кремнію, а також можливостей його застосування і сьогодні не втратив своєї актуальності. До пріоритетів отримання таких плівок відносять низьку, до 4000 С температуру осадження, при малих енергетичних значеннях тліючого розряду, можливість використання у середовищі плазми різноманітних вихідних реагентів, широким варіюванням складу і властивостей шарів.uk_UA
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherЧернігів : НУ "Чернігівська політехніка"uk_UA
dc.titleЗастосування PECVD гідрогенізованих шарів SіNH у напівпровідникових приладахuk_UA
dc.typeWorking Paperuk_UA
Розташовується у зібраннях:Тези доповідей XІІ Міжнародної науково-практичної конференції (м. Чернігів, 26-27 травня 2022 року)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Tezy - 2022 Part 5-86.pdfнаукова доповідь419,49 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.