Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ir.stu.cn.ua/123456789/7111
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorТепла, Т. М.
dc.contributor.authorБивалькевич, М. О.
dc.contributor.authorЖурко, В. П.
dc.contributor.authorСатюков, А. І.
dc.date.accessioned2015-09-22T12:38:53Z
dc.date.accessioned2015-10-22T23:39:59Z
dc.date.available2015-09-22T12:38:53Z
dc.date.available2015-10-22T23:39:59Z
dc.date.issued2012
dc.identifier.uri
dc.identifier.urihttp://ir.stu.cn.ua/123456789/7111
dc.descriptionТепла, Т. М. Використання вузькозонних напівпровідникових матеріалів на основі антимоніду вісмуту для індикації НВЧ / Т. М. Тепла, М. О. Бивалькевич, В. П. Журко, А. І. Сатюков // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2012. – №1 (55). – C. 183-185.en_US
dc.description.abstractНаводяться результати досліджень по використанню контакту BiSbln з металом для індикації НВЧ. Встановлена лінійність залежності вихідної напруги від поглиненої потужності. Отримана розрахункова залежність вольтватної чутливості від процентного вмісту In та зроблене порівняння її з експериментальними даними. Запропоноване пояснення розходження розрахункової та експериментальної залежностей.en_US
dc.language.isouken_US
dc.publisherЧернігів: ЧНТУen_US
dc.relation.ispartofseriesТехнічні науки; №1 (55)
dc.titleВикористання вузькозонних напівпровідникових матеріалів на основі антимоніду вісмуту для індикації НВЧen_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:Журко В. П.: наукові статті
Сатюков А. І.: наукові статті
Тепла Т. М.: наукові статті
Бивалькевич М. О.: наукові статті
№1(55)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
655.pdfстаття170,84 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.