IRChNUT
Електронний архів Національного університету "Чернігівська політехніка"

Використання вузькозонних напівпровідникових матеріалів на основі антимоніду вісмуту для індикації НВЧ

ISSN 2415-363X

Показати скорочений опис матеріалу

dc.contributor.author Тепла, Т. М.
dc.contributor.author Бивалькевич, М. О.
dc.contributor.author Журко, В. П.
dc.contributor.author Сатюков, А. І.
dc.date.accessioned 2015-09-22T12:38:53Z
dc.date.accessioned 2015-10-22T23:39:59Z
dc.date.available 2015-09-22T12:38:53Z
dc.date.available 2015-10-22T23:39:59Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier.uri
dc.identifier.uri http://ir.stu.cn.ua/123456789/7111
dc.description Тепла, Т. М. Використання вузькозонних напівпровідникових матеріалів на основі антимоніду вісмуту для індикації НВЧ / Т. М. Тепла, М. О. Бивалькевич, В. П. Журко, А. І. Сатюков // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2012. – №1 (55). – C. 183-185. en_US
dc.description.abstract Наводяться результати досліджень по використанню контакту BiSbln з металом для індикації НВЧ. Встановлена лінійність залежності вихідної напруги від поглиненої потужності. Отримана розрахункова залежність вольтватної чутливості від процентного вмісту In та зроблене порівняння її з експериментальними даними. Запропоноване пояснення розходження розрахункової та експериментальної залежностей. en_US
dc.language.iso uk en_US
dc.publisher Чернігів: ЧНТУ en_US
dc.relation.ispartofseries Технічні науки; №1 (55)
dc.title Використання вузькозонних напівпровідникових матеріалів на основі антимоніду вісмуту для індикації НВЧ en_US
dc.type Article en_US


Долучені файли

Даний матеріал зустрічається у наступних розділах

Показати скорочений опис матеріалу