Температурні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристалі

Шоломій, Ю. Є.; Ковтун, А. О.; Рогоза, О. В.

dc.contributor.author	Шоломій, Ю. Є.
dc.contributor.author	Ковтун, А. О.
dc.contributor.author	Рогоза, О. В.
dc.date.accessioned	2015-09-22T12:38:53Z
dc.date.accessioned	2015-10-23T22:39:06Z
dc.date.available	2015-09-22T12:38:53Z
dc.date.available	2015-10-23T22:39:06Z
dc.date.issued	2013
dc.identifier.uri
dc.identifier.uri	http://ir.stu.cn.ua/123456789/7278
dc.description	Шоломій, Ю. Є. Температурні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристалі / Ю. Є. Шоломій, А. О. Ковтун, О. В. Рогоза // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2013. – №1 (63). – C. 184-187.	en_US
dc.description.abstract	Досліджені температурні залежності питомої електричної провідності і рухливості носіїв зарядів у холестеричному рідкому кристалі. Визначені величини енергій активацій питомої провідності і рухливості зарядів у різних рідкокристалічних станах. Аналіз температурних залежностей показує, що зміни провідності в областях фазових переходів у межах похибок обумовлені змінами рухливості носіїв заряду. Як під час охолодження до рідкокристалічного стану, так і під час нагрівання із цього стану природа механізму генерації і рекомбінації носіїв однакова.	en_US
dc.language.iso	uk	en_US
dc.publisher	Чернігів: ЧНТУ	en_US
dc.relation.ispartofseries	Технічні науки; №1 (63)
dc.title	Температурні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристалі	en_US
dc.type	Article	en_US