Показати скорочений опис матеріалу
dc.contributor.author | Шоломій, Ю. Є. | |
dc.contributor.author | Ковтун, А. О. | |
dc.contributor.author | Рогоза, О. В. | |
dc.date.accessioned | 2015-09-22T12:38:53Z | |
dc.date.accessioned | 2015-10-23T22:39:06Z | |
dc.date.available | 2015-09-22T12:38:53Z | |
dc.date.available | 2015-10-23T22:39:06Z | |
dc.date.issued | 2013 | |
dc.identifier.uri | ||
dc.identifier.uri | http://ir.stu.cn.ua/123456789/7278 | |
dc.description | Шоломій, Ю. Є. Температурні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристалі / Ю. Є. Шоломій, А. О. Ковтун, О. В. Рогоза // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2013. – №1 (63). – C. 184-187. | en_US |
dc.description.abstract | Досліджені температурні залежності питомої електричної провідності і рухливості носіїв зарядів у холестеричному рідкому кристалі. Визначені величини енергій активацій питомої провідності і рухливості зарядів у різних рідкокристалічних станах. Аналіз температурних залежностей показує, що зміни провідності в областях фазових переходів у межах похибок обумовлені змінами рухливості носіїв заряду. Як під час охолодження до рідкокристалічного стану, так і під час нагрівання із цього стану природа механізму генерації і рекомбінації носіїв однакова. | en_US |
dc.language.iso | uk | en_US |
dc.publisher | Чернігів: ЧНТУ | en_US |
dc.relation.ispartofseries | Технічні науки; №1 (63) | |
dc.title | Температурні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристалі | en_US |
dc.type | Article | en_US |