DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://ir.stu.cn.ua/123456789/27402| Назва: | Застосування PECVD гідрогенізованих шарів SіNH у напівпровідникових приладах |
| Автори: | Рассамакін, В. Я. |
| Дата публікації: | 2022 |
| Видавництво: | Чернігів : НУ "Чернігівська політехніка" |
| Короткий огляд (реферат): | Інтерес до дослідження плазмохімічних шарів нітриду кремнію, а також можливостей його застосування і сьогодні не втратив своєї актуальності. До пріоритетів отримання таких плівок відносять низьку, до 4000 С температуру осадження, при малих енергетичних значеннях тліючого розряду, можливість використання у середовищі плазми різноманітних вихідних реагентів, широким варіюванням складу і властивостей шарів. |
| Опис: | Рассамакін, В. Я. Застосування PECVD гідрогенізованих шарів SіNH у напівпровідникових приладах / В. Я. Рассамакін // Комплексне забезпечення якості технологічних процесів та систем (КЗЯТПС – 2022) : тези доповідей XІІ Міжнародної науково-практичної конференції (м. Чернігів, 26–27 травня 2022 р.) : у 2 т. Т. 2. – Чернігів : НУ «Чернігівська політехніка», 2022. – С. 86. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ir.stu.cn.ua/123456789/27402 |
| Розташовується у зібраннях: | Тези доповідей XІІ Міжнародної науково-практичної конференції (м. Чернігів, 26-27 травня 2022 року) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Tezy - 2022 Part 5-86.pdf | наукова доповідь | 419,49 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.