Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ir.stu.cn.ua/123456789/7111
Назва: Використання вузькозонних напівпровідникових матеріалів на основі антимоніду вісмуту для індикації НВЧ
Автори: Тепла, Т. М.
Бивалькевич, М. О.
Журко, В. П.
Сатюков, А. І.
Дата публікації: 2012
Видавництво: Чернігів: ЧНТУ
Серія/номер: Технічні науки; №1 (55)
Короткий огляд (реферат): Наводяться результати досліджень по використанню контакту BiSbln з металом для індикації НВЧ. Встановлена лінійність залежності вихідної напруги від поглиненої потужності. Отримана розрахункова залежність вольтватної чутливості від процентного вмісту In та зроблене порівняння її з експериментальними даними. Запропоноване пояснення розходження розрахункової та експериментальної залежностей.
Опис: Тепла, Т. М. Використання вузькозонних напівпровідникових матеріалів на основі антимоніду вісмуту для індикації НВЧ / Т. М. Тепла, М. О. Бивалькевич, В. П. Журко, А. І. Сатюков // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2012. – №1 (55). – C. 183-185.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): 
http://ir.stu.cn.ua/123456789/7111
Розташовується у зібраннях:Журко В. П.: наукові статті
Сатюков А. І.: наукові статті
Тепла Т. М.: наукові статті
Бивалькевич М. О.: наукові статті
№1(55)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
655.pdfстаття170,84 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.