Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://ir.stu.cn.ua/123456789/7278
Назва: | Температурні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристалі |
Автори: | Шоломій, Ю. Є. Ковтун, А. О. Рогоза, О. В. |
Дата публікації: | 2013 |
Видавництво: | Чернігів: ЧНТУ |
Серія/номер: | Технічні науки; №1 (63) |
Короткий огляд (реферат): | Досліджені температурні залежності питомої електричної провідності і рухливості носіїв зарядів у холестеричному рідкому кристалі. Визначені величини енергій активацій питомої провідності і рухливості зарядів у різних рідкокристалічних станах. Аналіз температурних залежностей показує, що зміни провідності в областях фазових переходів у межах похибок обумовлені змінами рухливості носіїв заряду. Як під час охолодження до рідкокристалічного стану, так і під час нагрівання із цього стану природа механізму генерації і рекомбінації носіїв однакова. |
Опис: | Шоломій, Ю. Є. Температурні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристалі / Ю. Є. Шоломій, А. О. Ковтун, О. В. Рогоза // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2013. – №1 (63). – C. 184-187. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ir.stu.cn.ua/123456789/7278 |
Розташовується у зібраннях: | Рогоза О. В.: наукові статті Ковтун А. О.: наукові статті №1(63) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
729.pdf | стаття | 243,05 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.