Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ir.stu.cn.ua/123456789/7278
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorШоломій, Ю. Є.
dc.contributor.authorКовтун, А. О.
dc.contributor.authorРогоза, О. В.
dc.date.accessioned2015-09-22T12:38:53Z
dc.date.accessioned2015-10-23T22:39:06Z
dc.date.available2015-09-22T12:38:53Z
dc.date.available2015-10-23T22:39:06Z
dc.date.issued2013
dc.identifier.uri
dc.identifier.urihttp://ir.stu.cn.ua/123456789/7278
dc.descriptionШоломій, Ю. Є. Температурні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристалі / Ю. Є. Шоломій, А. О. Ковтун, О. В. Рогоза // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2013. – №1 (63). – C. 184-187.en_US
dc.description.abstractДосліджені температурні залежності питомої електричної провідності і рухливості носіїв зарядів у холестеричному рідкому кристалі. Визначені величини енергій активацій питомої провідності і рухливості зарядів у різних рідкокристалічних станах. Аналіз температурних залежностей показує, що зміни провідності в областях фазових переходів у межах похибок обумовлені змінами рухливості носіїв заряду. Як під час охолодження до рідкокристалічного стану, так і під час нагрівання із цього стану природа механізму генерації і рекомбінації носіїв однакова.en_US
dc.language.isouken_US
dc.publisherЧернігів: ЧНТУen_US
dc.relation.ispartofseriesТехнічні науки; №1 (63)
dc.titleТемпературні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристаліen_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:Рогоза О. В.: наукові статті
Ковтун А. О.: наукові статті
№1(63)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
729.pdfстаття243,05 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.