Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ir.stu.cn.ua/123456789/7278
Назва: Температурні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристалі
Автори: Шоломій, Ю. Є.
Ковтун, А. О.
Рогоза, О. В.
Дата публікації: 2013
Видавництво: Чернігів: ЧНТУ
Серія/номер: Технічні науки; №1 (63)
Короткий огляд (реферат): Досліджені температурні залежності питомої електричної провідності і рухливості носіїв зарядів у холестеричному рідкому кристалі. Визначені величини енергій активацій питомої провідності і рухливості зарядів у різних рідкокристалічних станах. Аналіз температурних залежностей показує, що зміни провідності в областях фазових переходів у межах похибок обумовлені змінами рухливості носіїв заряду. Як під час охолодження до рідкокристалічного стану, так і під час нагрівання із цього стану природа механізму генерації і рекомбінації носіїв однакова.
Опис: Шоломій, Ю. Є. Температурні залежності питомої провідності і рухливості носіїв заряду в холестеричному рідкому кристалі / Ю. Є. Шоломій, А. О. Ковтун, О. В. Рогоза // Вісник Чернігівського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. - 2013. – №1 (63). – C. 184-187.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): 
http://ir.stu.cn.ua/123456789/7278
Розташовується у зібраннях:Рогоза О. В.: наукові статті
Ковтун А. О.: наукові статті
№1(63)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
729.pdfстаття243,05 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.