Дослідження розподілу домішок у дрейфових n-p-n транзисторах

Фролов, О. М.; Сєліверстов, І. А.; Сєліверстова, С. Р.

dc.contributor.author	Фролов, О. М.
dc.contributor.author	Сєліверстова, С. Р.
dc.contributor.author	Сєліверстов, І. А.
dc.date.accessioned	2023-06-14T08:46:26Z
dc.date.available	2023-06-14T08:46:26Z
dc.date.issued	2023
dc.identifier.uri	http://ir.stu.cn.ua/123456789/28273
dc.description	Фролов, О. М. Дослідження розподілу домішок у дрейфових n-p-n транзисторах / О. М. Фролов, С. Р. Сєліверстова, І. А. Сєліверстов // Комплексне забезпечення якості технологічних процесів та систем (КЗЯТПС – 2023) : тези доповідей XІІІ Міжнародної науково-практичної конференції (м. Чернігів, 25–26 травня 2023 р.) : у 2 т. Т. 2. – Чернігів : НУ «Чернігівська політехніка», 2023. – С. 103-105.	uk_UA
dc.description.abstract	Особливе місце серед дискретних приладів займають транзистори, які в апаратурі дозволяють не тільки збільшувати сигнали, але і здійснювати плавне і точне регулювання електричних сигналів. Параметри та характеристики дрейфових транзисторів безпосередньо пов'язані з розподілом домішки у базових областях транзисторів.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Чернігів : НУ "Чернігівська політехніка"	uk_UA
dc.title	Дослідження розподілу домішок у дрейфових n-p-n транзисторах	uk_UA
dc.type	Working Paper	uk_UA