Abstract:
Застосування методу інтерферометрії дало можливість суттєво доповнити та уточнити інформацію про морфологію, характер дефектів нарощених шарів епітаксійних композицій (ЕК), виявлених методами вибіркового травлення за допомогою металографічного мікроскопа. Порівняльним дослідженням ступеня дефектності пластин після кожного з етапів їх виготовлення встановлено, при яких операціях технологічного процесу утворюються конкретні види дефектів. Запропоновано методику отримання якісних напівпровідникових приладів та інтегральних схем на основі різних видів ЕК з високим питомим опором робочого шару.
Description:
Вплив технологічних чинників на якість приладових структур / О. Небеснюк, А. Ніконова, Д. Алексієвський, З. Ніконова // Технічні науки та технології. - 2024. - № 1 (35). - С. 75-80.
