dc.contributor.author |
Рассамакін, В. Я.
|
|
dc.date.accessioned |
2023-04-25T10:17:15Z |
|
dc.date.available |
2023-04-25T10:17:15Z |
|
dc.date.issued |
2022 |
|
dc.identifier.uri |
http://ir.stu.cn.ua/123456789/27402 |
|
dc.description |
Рассамакін, В. Я. Застосування PECVD гідрогенізованих шарів SіNH у напівпровідникових приладах / В. Я. Рассамакін // Комплексне забезпечення якості технологічних процесів та систем (КЗЯТПС – 2022) : тези доповідей XІІ Міжнародної науково-практичної конференції (м. Чернігів, 26–27 травня 2022 р.) : у 2 т. Т. 2. – Чернігів : НУ «Чернігівська політехніка», 2022. – С. 86. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Інтерес до дослідження плазмохімічних шарів нітриду кремнію, а також можливостей його застосування і сьогодні не втратив своєї актуальності. До пріоритетів отримання таких плівок відносять низьку, до 4000 С температуру осадження, при малих енергетичних значеннях тліючого розряду, можливість використання у середовищі плазми різноманітних вихідних реагентів, широким варіюванням складу і властивостей шарів. |
uk_UA |
dc.language.iso |
uk |
uk_UA |
dc.publisher |
Чернігів : НУ "Чернігівська політехніка" |
uk_UA |
dc.title |
Застосування PECVD гідрогенізованих шарів SіNH у напівпровідникових приладах |
uk_UA |
dc.type |
Working Paper |
uk_UA |