Застосування PECVD гідрогенізованих шарів SіNH у напівпровідникових приладах

Рассамакін, В. Я.

dc.contributor.author	Рассамакін, В. Я.
dc.date.accessioned	2023-04-25T10:17:15Z
dc.date.available	2023-04-25T10:17:15Z
dc.date.issued	2022
dc.identifier.uri	http://ir.stu.cn.ua/123456789/27402
dc.description	Рассамакін, В. Я. Застосування PECVD гідрогенізованих шарів SіNH у напівпровідникових приладах / В. Я. Рассамакін // Комплексне забезпечення якості технологічних процесів та систем (КЗЯТПС – 2022) : тези доповідей XІІ Міжнародної науково-практичної конференції (м. Чернігів, 26–27 травня 2022 р.) : у 2 т. Т. 2. – Чернігів : НУ «Чернігівська політехніка», 2022. – С. 86.	uk_UA
dc.description.abstract	Інтерес до дослідження плазмохімічних шарів нітриду кремнію, а також можливостей його застосування і сьогодні не втратив своєї актуальності. До пріоритетів отримання таких плівок відносять низьку, до 4000 С температуру осадження, при малих енергетичних значеннях тліючого розряду, можливість використання у середовищі плазми різноманітних вихідних реагентів, широким варіюванням складу і властивостей шарів.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Чернігів : НУ "Чернігівська політехніка"	uk_UA
dc.title	Застосування PECVD гідрогенізованих шарів SіNH у напівпровідникових приладах	uk_UA
dc.type	Working Paper	uk_UA